octave_packages/ocs-0.1.3/sbn/doc-cache

   1 # Created by Octave 3.6.1, Sun Mar 25 17:34:24 2012 UTC <root@t61>
   2 # name: cache
   3 # type: cell
   4 # rows: 3
   5 # columns: 10
   6 # name: <cell-element>
   7 # type: sq_string
   8 # elements: 1
   9 # length: 11
  10 Mcapacitors
  11
  12
  13 # name: <cell-element>
  14 # type: sq_string
  15 # elements: 1
  16 # length: 968
  17  -- Function File: [A,B,C]= Mcapacitors(STRING,PARAMETERS,
  18           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
  19      SBN file implementing models for capacitors.
  20
  21      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
  22      inner items. Possible models are:
  23
  24        1. STRING = "LIN"  (Linear Capacitor)
  25              - C -> capacitance value
  26
  27        2. STRING = "MULTICAP" (Multipole Capacitor)
  28              - C -> capacitance values
  29
  30        3. STRING = "PDE_NMOS" (Drift-Diffusion PDE NMOS capacitor)
  31              - tbulk  -> bulk thickness
  32
  33              - tox    -> oxide thickness
  34
  35              - Nnodes -> number of nodes of 1D grid
  36
  37              - Na     -> bulk doping
  38
  39              - toll   -> absolute tolerance
  40
  41              - maxit  -> max iterations number
  42
  43              - Area   -> device area
  44
  45      See the `IFF file format specifications' for details about the
  46      output structures.
  47
  48      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
  49
  50
  51
  52
  53
  54 # name: <cell-element>
  55 # type: sq_string
  56 # elements: 1
  57 # length: 44
  58 SBN file implementing models for capacitors.
  59
  60
  61
  62 # name: <cell-element>
  63 # type: sq_string
  64 # elements: 1
  65 # length: 15
  66 Mcurrentsources
  67
  68
  69 # name: <cell-element>
  70 # type: sq_string
  71 # elements: 1
  72 # length: 1014
  73  -- Function File: [A,B,C]= Mcurrentsources(STRING,PARAMETERS,
  74           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
  75      SBN file implementing models for current sources.
  76
  77      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
  78      inner items. Possible models are:
  79
  80        1. STRING = "DC" (Static indipendent current source)
  81              - I -> Current source value
  82
  83        2. STRING = "VCCS" (Voltage controlled current source)
  84              - K -> Control parameter
  85
  86        3. STRING = "sinwave" (Sinusoidal indipendent current source)
  87              - shift -> mean value of sinusoidal input
  88
  89              - Ampl  -> amplitude of sinusoidal wave
  90
  91              - f     -> frequency of sinusoidal wave
  92
  93              - delay -> delay of sinusoidal wave
  94
  95        4. STRING = "VCPS" (Voltage controlled power source)
  96              - K -> Control parameter
  97
  98      See the `IFF file format specifications' for details about the
  99      output structures.
 100
 101      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 102
 103
 104
 105
 106
 107 # name: <cell-element>
 108 # type: sq_string
 109 # elements: 1
 110 # length: 49
 111 SBN file implementing models for current sources.
 112
 113
 114
 115 # name: <cell-element>
 116 # type: sq_string
 117 # elements: 1
 118 # length: 6
 119 Mdiode
 120
 121
 122 # name: <cell-element>
 123 # type: sq_string
 124 # elements: 1
 125 # length: 937
 126  -- Function File: [A,B,C]= Mdiode(STRING,PARAMETERS,
 127           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 128      SBN file implementing models for diodes.
 129
 130      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 131      inner items. Possible models are:
 132
 133         - STRING = "simple" (Usual exponential diode model)
 134              - Is   -> reverse current
 135
 136              - Vth  -> thermal voltage
 137
 138              - Rpar -> parasitic resistance
 139
 140         - STRING = "PDEsymmetric" (Drift-Diffusion PDE model)
 141              - len    -> diode length
 142
 143              - Nnodes -> number of nodes of 1D grid
 144
 145              - Dope   -> doping (abrupt and symmetric)
 146
 147              - toll   -> absolute tolerance
 148
 149              - maxit  -> max iterations number
 150
 151              - Area   -> device area
 152
 153      See the `IFF file format specifications' for details about the
 154      output structures.
 155
 156      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 157
 158
 159
 160
 161
 162 # name: <cell-element>
 163 # type: sq_string
 164 # elements: 1
 165 # length: 40
 166 SBN file implementing models for diodes.
 167
 168
 169
 170 # name: <cell-element>
 171 # type: sq_string
 172 # elements: 1
 173 # length: 10
 174 Minductors
 175
 176
 177 # name: <cell-element>
 178 # type: sq_string
 179 # elements: 1
 180 # length: 505
 181  -- Function File: [A,B,C]= Minductors(STRING,PARAMETERS,
 182           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 183      SBN file implementing models for inductors.
 184
 185      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 186      inner items. Possible models are:
 187
 188        1. STRING = "LIN" (Linear inductor model)
 189              - L -> inductance value
 190
 191      See the `IFF file format specifications' for details about the
 192      output structures.
 193
 194      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 195
 196
 197
 198
 199
 200 # name: <cell-element>
 201 # type: sq_string
 202 # elements: 1
 203 # length: 43
 204 SBN file implementing models for inductors.
 205
 206
 207
 208 # name: <cell-element>
 209 # type: sq_string
 210 # elements: 1
 211 # length: 8
 212 Mnmosfet
 213
 214
 215 # name: <cell-element>
 216 # type: sq_string
 217 # elements: 1
 218 # length: 1105
 219  -- Function File: [A,B,C]= Mnmosfet(STRING,PARAMETERS,
 220           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 221      SBN file implementing standard models for n-mosfets.
 222
 223      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 224      inner items. Possible models are:
 225
 226        1. STRING = "simple" (Standard model for MOSFET)
 227              - rd  -> parasitic resistance between drain and source
 228
 229              - k   -> k parameter for usual mosfet model
 230
 231              - Vth -> threshold voltage
 232
 233        2. STRING = "lincap" (Adds RC parasitics)
 234              - rd  -> parasitic resistance between drain and source
 235
 236              - k   -> k parameter for usual mosfet model
 237
 238              - Vth -> threshold voltage
 239
 240              - Rs  -> parasitic source resistance
 241
 242              - Rd  -> parasitic drain resistance
 243
 244              - Cs  -> gate-source capacitance
 245
 246              - Cd  -> gate-drain capacitance
 247
 248              - Cb  -> gate-bulk capacitance
 249
 250      See the `IFF file format specifications' for details about the
 251      output structures.
 252
 253      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 254
 255
 256
 257
 258
 259 # name: <cell-element>
 260 # type: sq_string
 261 # elements: 1
 262 # length: 52
 263 SBN file implementing standard models for n-mosfets.
 264
 265
 266
 267 # name: <cell-element>
 268 # type: sq_string
 269 # elements: 1
 270 # length: 14
 271 Mpdesympnjunct
 272
 273
 274 # name: <cell-element>
 275 # type: sq_string
 276 # elements: 1
 277 # length: 184
 278  -- Function File: [J,G]= Mpdesympnjunct (LEN, DOPE, VA, AREA, NNODES,
 279           TOLL, MAXIT, PTOLL, PMAXIT)
 280      INTERNAL FUNCTION:
 281
 282      NOT SUPPOSED TO BE CALLED DIRECTLY BY USERS
 283
 284
 285
 286
 287 # name: <cell-element>
 288 # type: sq_string
 289 # elements: 1
 290 # length: 19
 291 INTERNAL FUNCTION:
 292
 293
 294
 295
 296 # name: <cell-element>
 297 # type: sq_string
 298 # elements: 1
 299 # length: 8
 300 Mpmosfet
 301
 302
 303 # name: <cell-element>
 304 # type: sq_string
 305 # elements: 1
 306 # length: 1105
 307  -- Function File: [A,B,C]= Mpmosfet(STRING,PARAMETERS,
 308           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 309      SBN file implementing standard models for p-mosfets.
 310
 311      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 312      inner items. Possible models are:
 313
 314        1. STRING = "simple" (Standard model for MOSFET)
 315              - rd  -> parasitic resistance between drain and source
 316
 317              - k   -> k parameter for usual mosfet model
 318
 319              - Vth -> threshold voltage
 320
 321        2. STRING = "lincap" (Adds RC parasitics)
 322              - rd  -> parasitic resistance between drain and source
 323
 324              - k   -> k parameter for usual mosfet model
 325
 326              - Vth -> threshold voltage
 327
 328              - Rs  -> parasitic source resistance
 329
 330              - Rd  -> parasitic drain resistance
 331
 332              - Cs  -> gate-source capacitance
 333
 334              - Cd  -> gate-drain capacitance
 335
 336              - Cb  -> gate-bulk capacitance
 337
 338      See the `IFF file format specifications' for details about the
 339      output structures.
 340
 341      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 342
 343
 344
 345
 346
 347 # name: <cell-element>
 348 # type: sq_string
 349 # elements: 1
 350 # length: 52
 351 SBN file implementing standard models for p-mosfets.
 352
 353
 354
 355 # name: <cell-element>
 356 # type: sq_string
 357 # elements: 1
 358 # length: 10
 359 Mresistors
 360
 361
 362 # name: <cell-element>
 363 # type: sq_string
 364 # elements: 1
 365 # length: 1080
 366  -- Function File: [A,B,C]= Mresistors(STRING,PARAMETERS,
 367           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 368      SBN file implementing models for resistors.
 369
 370      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 371      inner items. Possible models are:
 372
 373        1. STRING = "LIN" (Linear resistor)
 374              - R -> resistance value
 375
 376        2. STRING = "THERMAL" (Linear resistor with termal pin)
 377              - R0   -> reference resistance value at temperature `TNOM'
 378
 379              - TC1  -> coefficient for first order Taylor expansion
 380
 381              - TC2  -> coefficient for second order Taylor expansion
 382
 383              - TNOM -> reference temperature
 384
 385        3. STRING = "THERMAL1D" (1D Thermal resistor)
 386              - L  -> length of 1D domain
 387
 388              - N  -> number of discretized elements
 389
 390              - cv -> PDE coefficient for dynamic part
 391
 392              - k  -> PDE coefficient for diffusion part
 393
 394      See the `IFF file format specifications' for details about the
 395      output structures.
 396
 397      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 398
 399
 400
 401
 402
 403 # name: <cell-element>
 404 # type: sq_string
 405 # elements: 1
 406 # length: 43
 407 SBN file implementing models for resistors.
 408
 409
 410
 411 # name: <cell-element>
 412 # type: sq_string
 413 # elements: 1
 414 # length: 21
 415 Mshichmanhodgesmosfet
 416
 417
 418 # name: <cell-element>
 419 # type: sq_string
 420 # elements: 1
 421 # length: 1124
 422  -- Function File: [A,B,C]= Mshichmanhodgesmosfet(STRING,PARAMETERS,
 423           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 424      SBN file implementing Schichman-Hodges MOSFETs model.
 425
 426      STRING is used to select among models. Possible models are:
 427
 428        1. STRING = "NMOS" (Schichman-Hodges n-MOSFET)
 429
 430        2. STRING = "PMOS" (Schichman-Hodges p-MOSFET)
 431
 432      Parameters for all the above models are:
 433         * rd     -> parasitic resistance between drain and source
 434
 435         * W      -> MOSFET width
 436
 437         * L      -> channel length
 438
 439         * mu0    -> reference value for mobility
 440
 441         * Vth    -> threshold voltage
 442
 443         * Cox    -> oxide capacitance
 444
 445         * Cgs    -> gate-source capacitance
 446
 447         * Cgd    -> gate-drain capacitance
 448
 449         * Cgb    -> gate-bulk capacitance
 450
 451         * Csb    -> source-bulk capacitance
 452
 453         * Cdb    -> drain-bulk capacitance
 454
 455         * Tshift -> shift for reference temperature on MOSFETs (default
 456           0)
 457
 458      See the `IFF file format specifications' for details about the
 459      output structures.
 460
 461      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 462
 463
 464
 465
 466
 467 # name: <cell-element>
 468 # type: sq_string
 469 # elements: 1
 470 # length: 53
 471 SBN file implementing Schichman-Hodges MOSFETs model.
 472
 473
 474
 475 # name: <cell-element>
 476 # type: sq_string
 477 # elements: 1
 478 # length: 15
 479 Mvoltagesources
 480
 481
 482 # name: <cell-element>
 483 # type: sq_string
 484 # elements: 1
 485 # length: 1643
 486  -- Function File: [A,B,C]= Mvoltagesources(STRING,PARAMETERS,
 487           PARAMETERNAMES,EXTVAR,INTVAR,T)
 488      SBN file implementing models for voltage sources.
 489
 490      STRING is used to select among models. Parameters are listed as
 491      inner items. Possible models are:
 492
 493        1. STRING = "DC" (Static indipendent voltage source)
 494              - V -> Current source value
 495
 496        2. STRING = "sinwave" (Sinusoidal indipendent voltage source)
 497              - shift -> mean value of sinusoidal input
 498
 499              - Ampl  -> amplitude of sinusoidal wave
 500
 501              - f     -> frequency of sinusoidal wave
 502
 503              - delay -> delay of sinusoidal wave
 504
 505        3. STRING = "pwl" (Piecewise linear voltage source)
 506              - takes as parameter times and values. For example `0 1 4
 507                6' means at time instant 0 value 1, at time instant 4
 508                value 6, etc.
 509
 510        4. STRING = "squarewave" (Square wave)
 511              - low   -> low-state value
 512
 513              - high  -> high-state value
 514
 515              - tlow  -> duration of low-state
 516
 517              - thigh -> duration of high-state
 518
 519              - delay -> delay of square wave
 520
 521              - start -> starting voltage value
 522
 523        5. STRING = "step" (Voltage step)
 524              - low   -> low-state value
 525
 526              - high  -> high-state value
 527
 528              - tstep -> time instant of step transition
 529
 530        6. STRING = "VCVS" (Voltage controlled voltage source)
 531              - K -> Control parameter
 532
 533      See the `IFF file format specifications' for details about the
 534      output structures.
 535
 536      See also: prs_iff, asm_initialize_system, asm_build_system
 537
 538
 539
 540
 541
 542 # name: <cell-element>
 543 # type: sq_string
 544 # elements: 1
 545 # length: 49
 546 SBN file implementing models for voltage sources.
 547
 548
 549
 550
 551